| 显示联大系统周口师范学院半导体物理学所有答案 |
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5[判断题,4分] 一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，其中非平衡载流子的寿命为τ。若光照忽然停止，经过τ时间后，非平衡载流子全部消失。（）
A.正确
B.错误
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答案是：参考答案：错误
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[判断题,4分] 无论本征半导体还是杂质半导体，其电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，由温度和禁带宽度决定。（）
A.正确
B.错误
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答案是：参考答案：正确
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[判断题,4分] 将Si掺杂入GaAs中，Si取代Ga则起施主杂质作用，若Si取代As则起受主杂质作用。（）
A.正确
B.错误
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答案是：参考答案：正确
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[判断题,4分] 费米分布函数适用于简并的电子系统，波耳兹曼分布函数适用于非简并的电子系统。（）
A.正确
B.错误
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答案是：参考答案：正确
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[判断题,4分] 在热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为100%，如果温度大于热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为小于50%。（）
A.正确
B.错误
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答案是：参考答案：错误
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[判断题,4分] 室温下，对于某n型半导体，其费米能级在其本征半导体的费米能级之下。（）
A.正确
B.错误
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答案是：参考答案：错误
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[判断题,4分] 砷化稼是直接能隙半导体，硅和锗是间接能隙半导体。（）
A.正确
B.错误
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答案是：参考答案：正确
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[判断题,4分] 与半导体相比，绝缘体的价带电子激发到导带所需要的能量比半导体的大。（）
A.正确
B.错误
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答案是：参考答案：正确
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[判断题,4分] 温度越高，载流子热运动的平均速度越大。（）
A.正确
B.错误
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答案是：参考答案：正确
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[判断题,4分] 费米能级是半导体中大量电子构成的热力学系统的化学势。（）
A.正确
B.错误
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答案是：参考答案：正确
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[判断题,4分] 掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。（）
A.正确
B.错误
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答案是：参考答案：正确
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[判断题,4分] 半导体又分为n型半导体和p型半导体。（）
A.正确
B.错误
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答案是：参考答案：正确
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3[判断题,4分] 电子浓度不等于空穴浓度。（）
A.正确
B.错误
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答案是：参考答案：错误
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[判断题,4分] 电子在半导体中传输时若发生晶格振动散射，则会发出或者吸收声子，使电子动量发生改变，从而影响到电导率。（）
A.正确
B.错误
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答案是：参考答案：正确
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1[判断题,4分] 在稳定不变的光照下，半导体中电子和空穴浓度也是保持恒定不变的。（）
A.正确
B.错误
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答案是：参考答案：正确
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[填空题,4分] 间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为（）；形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为（）。
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答案是：弗仑克耳缺陷|肖特基缺陷
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[填空题,4分] 半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央，其导带极小值位于（）方向上距布里渊区边界约0.85倍处，因此属于（）半导体。
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答案是：100|间接带隙
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[填空题,4分] 复合中心的作用是（）
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答案是：促进电子和空穴复合
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[填空题,4分] 起有效复合中心的杂质能级必须位于（）
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答案是：Ei或禁带中心线
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[填空题,4分] 电子和空穴的俘获系数rn或rp必须满足（）
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答案是：rn=rp
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[填空题,4分] 有效陷阱中心位置靠近（）
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答案是：EF或费米能级
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[填空题,4分] 两种不同半导体接触后,费米能级较高的半导体界面一侧带（）电，达到热平衡后两者的费米能级（）。
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答案是：正|相等
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[填空题,4分] 能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的（），引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的（）的作用。
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答案是：二阶导数|内部势场
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[填空题,4分] PN结电容可分为（）和（）两种。
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答案是：扩散电容|势垒电容
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[填空题,4分] 简并半导体一般是（）掺杂半导体，这时（）对载流子的散射作用不可忽略。
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答案是：重|电离杂质
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[填空题,4分] 有效质量概括了晶体内部势场对载流子的作用，可通过（）实验来测量。
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答案是：回旋共振
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[填空题,4分] 如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化，则具有这种能带结构的半导体称为（）。
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答案是：直接禁带半导体
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[填空题,4分] 光生载流子发生辐射复合时，伴随着（），这就是半导体的（）现象，利用这种现象可制成（）。
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答案是：发射光子|发光|发光管
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[填空题,4分] 在存在自建电场的半导体中产生（），可制成（）。
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答案是：光生伏特|光电池
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[填空题,4分] 半导体吸收光子后产生光生载流子，在均匀半导体中是（）增加，可制成（）。
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答案是：电导率|光敏电阻
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[填空题,4分] 纯净半导体Si中掺Ⅲ族元素的杂质，当杂质电离时在Si晶体的共价键中产生了一个（），这种杂质称（）杂质；相应的半导体称（）型半导体。
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答案是：空穴|受主|P
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[填空题,4分] 已知硅的Eg为1.12eV，则本征吸收的波长限为（）；Ge的Eg为0.67eV，则本征吸收的波长限为（）。
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答案是：1.11微米|1.85微米
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[填空题,4分] 若用氮取代磷化镓中的部分磷，结果是（）；若用砷的话，结果是（）。
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答案是：禁带宽度Eg增大|禁带宽度Eg减小
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[填空题,4分] 半导体中的陷阱中心使其中光电导灵敏度（），并使其光电导衰减规律（）。
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答案是：增加|衰减时间延长
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[填空题,4分] 半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是（）和（）。
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答案是：电离杂质散射|晶格振动散射
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[填空题,4分] n型硅掺As后，费米能级向（）移动，在室外温度下进一步升高温度，费米能级向（）移动。
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答案是：Ec或上|Ei或下
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[填空题,4分] nopo=ni2标志着半导体处于（）状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积nopo改变否？（）；当温度变化时，nopo改变否？（）。
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答案是：热平衡|不改变|改变
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[填空题,4分] 纯净半导体Si中掺V族元素的杂质，当杂质电离时释放（）。这种杂质称（）杂质；相应的半导体称（）型半导体。
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答案是：电子|施主|N
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[填空题,4分] 硅的导带极小值位于布里渊区的（），根据晶体对称性共有（）个等价能谷。
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答案是：100方向上|6
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[填空题,4分] 当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做（）运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做（）运动。
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答案是：扩散|漂移
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[多选题,7分] 当半导体材料处于热平衡时，其电子浓度与空穴浓度的乘积为（），并且该乘积和（）有关，而与（）无关。
A.变化量
B.常数
C.杂质浓度和杂质类型
D.禁带宽度和温度
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答案是：参考答案：BDC 您的答案：BCD
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[多选题,6.2分] 电子是带（）电的（）；空穴是带（）电的（）粒子。
A.正
B.负
C.零
D.准粒子
E.粒子
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答案是：参考答案：BEAD 您的答案：ABDE
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[多选题,6.2分] 受主杂质电离后向半导体提供（），施主杂质电离后向半导体提供（），本征激发向半导体提供（）。
A.电子和空穴
B.空穴
C.电子
D.以上说法都不对
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答案是：参考答案：BCA
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13[多选题,6.2分] 如果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以（）导电为主；如果半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该半导体以（）导电为主；如果半导体中电子浓度小于空穴浓度，则该半导体以（）导电为主。
A.本征
B.受主
C.空
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答案是：参考答案：ACE
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载流子的漂移运动是由（）引起的。
A.电场
B.浓度差
C.热运动
D.电流
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答案是：参考答案：A 您的答案：A
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如果在神州十号太空实验室里，生长的GaAs具有很高的载流子迁移率，这是因为（）的缘故。
A.无杂质污染
B.受较强的宇宙射线照射
C.晶体生长完整性好
D.化学配比合理
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答案是：参考答案：C 您的答案：C
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某材料的电阻率随温度上升而先下降后上升，该材料是（）
A.金属
B.本征半导体
C.掺杂半导体
D.高纯化合物半导体
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答案是：参考答案：C 您的答案：C
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对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级EF随温度上升而（）
A.单调上升
B.单调下降
C.经过一极小值趋近Ei
D.经过一极大值趋近Ei
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答案是：参考答案：D 您的答案：D
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根据费米分布函数，电子占据（EF+KT）能级的几率（）
A.等于空穴占据（EF+KT）能级的几率
B.等于空穴占据（EF-KT）能级的几率
C.大于电子占据EF的几率
D.大于空穴占据EF的几率
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答案是：参考答案：B 您的答案：B
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对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，随着平均原子序数的增加（）
A.禁带宽度增大
B.禁带宽度减小
C.最低的导带极小值从布里渊区中心移向边界
D.最低的导带极小值在布里渊区中心不变
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答案是：参考答案：B 您的答案：B
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GaAs的导带极值位于布里渊区（）
A.中心
B.<111>方向边界处
C.<100>方向边界处
D.<110>方向边界处
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答案是：参考答案：A 您的答案：A
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在光电转换过程中，硅材料一般不如GaAs量子效率高，其因是（）
A.禁带较窄
B.禁带是间接型跃迁
C.禁带较宽
D.禁带较宽
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答案是：参考答案：A 您的答案：A
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欲在掺杂适度的无表面态n型硅上做欧姆电极，以下四种金属中最合适的是（）
A.In（Wm=3.8eV）
B.Cr（Wm=4.6eV）
C.Au（Wm=4.8eV）
D.Al（Wm=4.2eV）
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答案是：参考答案：A 您的答案：A
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硅中掺金的工艺主要用于制造（）器件
A.高可靠性
B.高反压
C.高频
D.大功率
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答案是：参考答案：C 您的答案：C
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半导体中的载流子扩散系数的大小取决于（）
A.复合机构
B.散射机构
C.能带结构
D.能带结构
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答案是：参考答案：B 您的答案：B
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1若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定（）
A.不含施主杂质
B.不含受主杂质
C.不含任何杂质
D.处于绝对零度
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答案是：参考答案：D 您的答案：D
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5把磷化镓在氮气氛中退火，会有氮取代部分的磷，这会在磷化镓中出现（）。
A.改变禁带宽度
B.产生复合中心
C.产生空穴陷阱
D.产生等电子陷阱
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答案是：参考答案：D 您的答案：D
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一般半导体器件使用温度不能超过一定的温度，这是因为载流子浓度主要来源于（），而将（）忽略不计。
A.杂质电离，本征激发
B.本征激发，杂质电离
C.施主电离，本征激发
D.本征激发，受主电离
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答案是：参考答案：A 您的答案：A
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一块半导体寿命τ=15μs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。
A./1/4
B.1/e
C.1/e2
D.1/2
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答案是：参考答案：C 您的答案：C
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半导体中由于浓度差引起的载流子的运动为（）。
A.漂移运动
B.扩散运动
C.热运动
D.共有化运动
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答案是：参考答案：B 您的答案：B
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