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周口师范学院半导体物理学
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本题添加时间:2023/4/3 12:59:00
圆梦客服:王老师 19139051760(微信同号) 19139051760(微信同号)
GaAs的导带极值位于布里渊区()
A.中心
B.<111>方向边界处
C.<100>方向边界处
D.<110>方向边界处
答案是:参考答案:A 您的答案:A
出自
周口师范学院半导体物理学
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周口师范学院
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1、
在光电转换过程中,硅材料一般不如GaAs量子效率高,其因是() A.禁带较窄 B.禁带是间接型跃迁 C.禁带较宽 D.禁带较宽
2、
欲在掺杂适度的无表面态n型硅上做欧姆电极,以下四种金属中最合适的是() A.In(Wm=3.8eV) B.Cr(Wm=4.6eV) C.Au(Wm=4.8eV) D.Al(Wm=4.2eV)
3、
硅中掺金的工艺主要用于制造()器件 A.高可靠性 B.高反压 C.高频 D.大功率
4、
半导体中的载流子扩散系数的大小取决于() A.复合机构 B.散射机构 C.能带结构 D.能带结构
5、
1若某半导体导带中发现电子的几率为零,则该半导体必定() A.不含施主杂质 B.不含受主杂质 C.不含任何杂质 D.处于绝对零度
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