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周口师范学院半导体物理学
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本题添加时间:2023/4/3 12:59:00
圆梦客服:王老师 19139051760(微信同号) 19139051760(微信同号)
如果在神州十号太空实验室里,生长的GaAs具有很高的载流子迁移率,这是因为()的缘故。
A.无杂质污染
B.受较强的宇宙射线照射
C.晶体生长完整性好
D.化学配比合理
答案是:参考答案:C 您的答案:C
出自
周口师范学院半导体物理学
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周口师范学院
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1、
一足球运动员用50N的力,用脚把足球踢出100米,则运动员对足球做的功( ) A.100J B.50J C.5000J D.无法计算
2、
某材料的电阻率随温度上升而先下降后上升,该材料是() A.金属 B.本征半导体 C.掺杂半导体 D.高纯化合物半导体
3、
对于只含一种杂质的非简并n型半导体,费米能级EF随温度上升而() A.单调上升 B.单调下降 C.经过一极小值趋近Ei D.经过一极大值趋近Ei
4、
利用热中子轰击236 U发生裂变,其裂变裂片的质量数为下列哪一组几率最大? A.118,118; B.72, 162; C.96, 140; D.118, 72
5、
根据费米分布函数,电子占据(EF+KT)能级的几率() A.等于空穴占据(EF+KT)能级的几率 B.等于空穴占据(EF-KT)能级的几率 C.大于电子占据EF的几率 D.大于空穴占据EF的几率
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