对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级EF随温度上升而（） A.单调上升 B.单调下降 C.经过一极小值趋近试题答案

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本题添加时间：2023/4/3 12:59:00
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对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级EF随温度上升而（） A.单调上升 B.单调下降 C.经过一极小值趋近Ei D.经过一极大值趋近Ei
答案是:参考答案：D 您的答案：D 出自周口师范学院半导体物理学联大系统周口师范学院
更多试题>>>> 1、利用热中子轰击236 U发生裂变，其裂变裂片的质量数为下列哪一组几率最大？ A.118，118； B.72, 162； C.96, 140； D.118, 72 2、根据费米分布函数，电子占据（EF+KT）能级的几率（） A.等于空穴占据（EF+KT）能级的几率 B.等于空穴占据（EF-KT）能级的几率 C.大于电子占据EF的几率 D.大于空穴占据EF的几率 3、对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，随着平均原子序数的增加（） A.禁带宽度增大 B.禁带宽度减小 C.最低的导带极小值从布里渊区中心移向边界 D.最低的导带极小值在布里渊区中心不变 4、GaAs的导带极值位于布里渊区（） A.中心 B.<111>方向边界处 C.<100>方向边界处 D.<110>方向边界处 5、在光电转换过程中，硅材料一般不如GaAs量子效率高，其因是（） A.禁带较窄 B.禁带是间接型跃迁 C.禁带较宽 D.禁带较宽