对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，随着平均原子序数的增加（） A.禁带宽度增大 B.禁带宽度减小 C.最低的导带极小值从布试题答案

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本题添加时间：2023/4/3 12:59:00
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对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，随着平均原子序数的增加（） A.禁带宽度增大 B.禁带宽度减小 C.最低的导带极小值从布里渊区中心移向边界 D.最低的导带极小值在布里渊区中心不变
答案是:参考答案：B 您的答案：B 出自周口师范学院半导体物理学联大系统周口师范学院
更多试题>>>> 1、GaAs的导带极值位于布里渊区（） A.中心 B.<111>方向边界处 C.<100>方向边界处 D.<110>方向边界处 2、在光电转换过程中，硅材料一般不如GaAs量子效率高，其因是（） A.禁带较窄 B.禁带是间接型跃迁 C.禁带较宽 D.禁带较宽 3、欲在掺杂适度的无表面态n型硅上做欧姆电极，以下四种金属中最合适的是（） A.In（Wm=3.8eV） B.Cr（Wm=4.6eV） C.Au（Wm=4.8eV） D.Al（Wm=4.2eV） 4、硅中掺金的工艺主要用于制造（）器件 A.高可靠性 B.高反压 C.高频 D.大功率 5、半导体中的载流子扩散系数的大小取决于（） A.复合机构 B.散射机构 C.能带结构 D.能带结构