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对称三相电路作星形联结时,其电路中线电压UL.相电压UP,线电流IL.相电流IP之间的关系为UL= UP,IL= IP。
答案是:J3,1
提高交流电路功率因数的意义在于 ,其方法是
答案是:增加有用功 ,并联电容
在电容元件的交流电路中,电压的相位比电流的相位
答案是:滞后90°。
三相电路中,负载的连接方法主要有 和 两种连接方式。
答案是:星形 ,三角形
对称三相电路作三角形联结时,UL= UP,IL= IP。
答案是:1,J3
若放大电路的静态工作点设置不合理或信号太大,在放大信号时会容易引起输出信号失真。非线性失真分为 失真和 失真。
答案是:饱和,截止
在画放大电路的直流通路时常将耦合电容视作 ,而在画其交流通路时常将耦合电容视作 。
答案是:开路,短路
戴维宁定理中,将除去负载电阻外,可将其余部分看作一个有源二端网络,即可以等效为一个 串联一个 的形式。
答案是:电压源, 电阻
用叠加原理求解电路时,当对某一电源求解电路时,其他的电源要除去,即电压源 ,电流源 。
答案是:短路,开路
应用支路电流法对电路进行求解时,对于具有n个结点和b条支路的电路,可以列出 独立的结点方程,其余的 个方程可由网孔列出。
答案是:n-1, b-(n-1)
一个电压源 一个电阻,可以等效变换为一个电流源 一个电阻。
答案是:串联,并联
并联的负载电阻越多,总电阻 ,电路中的总电流就
答案是:越小 ,越大
要使三极管工作在放大状态,则外电路所加电压必须使三极管的发射结 偏,同时使集电结 偏。
答案是:正,反
PN结具有 性,即加正向电压时,PN结 ,加反向电压时,PN结 。
答案是:单向导电,处于导通状态,处于截止状态
交流量是指 和 都随时间而变化的量。
答案是:大小,方向
三相电路中,负载的连接方法主要有 和 两种,若负载相电压需为380V,则需采用 连接方式。
答案是:星形连接, 三角形连接 , 三角形
计算电位时,必须选定电路中某一点作为 ,通常设它为零。
答案是:参考点
在任意瞬时, 某一结点的电流之和应等于由该结点 的电流之和,这就是 。
答案是:流入,流出 ,KCL定律
三相对称电源做星形连接,线电压Ul与相电压Up的相位差是 ,UL= UP。
答案是:30°,J3
已知 u=10sin(ωt+30˚)V,分别写出幅值 Um= ,有效值U= , 相量Ù= 。
答案是:10 , 10/52 ,10∠ 30 °
三极管具有开关特性:当三极管工作在饱和状态时,UCE ≈ ,当三极管工作在截止状态时,UCE ≈ 。
答案是:0,Ucc
要使三极管工作在放大状态,则外电路所加电压必须使三极管的发射结 偏,同时使集电结 偏。
答案是:正,反
三极管的输出特性曲线可分为三个工作区,分别为 区. 区. 区。
答案是:饱和,截止,放大
一个三极管有两个PN结,分别称为 结和 结。
答案是:发射,集电
三极管的三个电极分别称为 极. 极. 极,分别用字母C.B.E表示。
答案是:集电,基,发射
在画放大电路的直流通路时常将耦合电容视作 ,而在画其交路时常将耦合电容视作 。
答案是:断路,短路
多级放大电路中级与级之间的耦合方式主要有 耦合和 耦合。
答案是:阻容,直接
若放大电路的静态工作点设置不合理或信号太大,在放大信号时会容引起输出信号失真,非线性失真分为 失真和 失真。
答案是:截止,饱和
对一个放大电路进行静态分析,首先应作该放大电路的 通路,而作动态分析时,应作该放大电路的 电路。
答案是:直流,交流
在放大电路中,晶体管的基极电流IB通常称为 电流,产生基极电流IB的电路称为 电路。
答案是:偏置,共基极
欲使晶体管工作在放大区,则外电路所加电压必须使晶体管的发射结 偏,同时使集电结 偏。
答案是:正,反
半导体三极管的结构分为三个区,分别是 区, 区, 区。
答案是:发射,基,集电
半导体三极管分为 型和 型两类。
答案是:NPN,PNP
半导体二极管实质上就是一个 结,它具有的特性是 导电性。
答案是:PN,单向
硅管的死区电压约为 V,锗管的死区电压约为 V。
答案是:0.5,0.1
硅管的导通压降约为 V,锗管的导通压降约为 V。
答案是:0.7,0.2
半导体二极管按其所使用的材料可分为 两类。
答案是:硅 管和 锗 管
半导体二极管的两个主要参数是
答案是:最大整流电流 和 最大反向工作电压 。
.PN结具有 性,即加正向电压时,PN结 ,加反向电压时,PN结 。
答案是:单向导电 ,导通,截止
N型半导体主要靠 来导电,P型半导体主要靠 来导电。
答案是:自由电子,空穴
在P型杂质半导体中,多数载流子是 ,少数载流子是
答案是:空穴,自由电子 。
集成运算放大器输出级的主要特点是输出电阻 ,带负载能力 。
答案是:越小 ,越强
集成运放级间耦合方式是采用 耦合。
答案是:多级直接
在N型杂质半导体中,多数载流子是 ,少数载流子是 。
答案是:自由电子,空穴
在本征半导体中掺入微量五价元素可得到 型杂质半导体,在本征半导体中掺入微量三价元素可得到 型杂质半导体
答案是:N,P
任何一个有源二端线性网络都可以用一个电动势和一个电阻串联来等效代替。
答案是:√
半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间,硅和锗是最重要的两种半导体材料。
答案是:√
二极管和三极管都具有明显的温度特性。
答案是:√
由于发射区和集电区的掺杂浓度以及面积不同,因此三极管的集发射与电极极不能互换使用。
答案是:√
发光二极管在使用时必须加适当的正向电压才会发光。
答案是:√
二极管的反向电压一旦超过其最高反向工作电压时就会损坏。
答案是:√
半导体中空穴带正电,电子带负电。
答案是:√
今在电路中测得晶体三极管的三个管脚的电位分别为-2.3V、-2V和-6V,说明这个晶体三极管是PNP型锗管。
答案是:√
一般情况下,晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而减小。
答案是:√
在外电场作用下,半导体中会同时出现电子电流和空穴电流。
答案是:√
在半导体中,自由电子和空穴都是载流子
答案是:√
发射结处于反向偏置的晶体三极管,其一定是工作在截止状态。
答案是:√
因为晶体三极管由两个PN结组成,所以晶体三极管可以当同材料的晶体二极管使用。
答案是:√
三极管的交流放大倍数和直流放大倍数是两个不同的概念,但其值近似相等。
答案是:√
电压比较器的输出电压只有两种数值。
答案是:√
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