王老师:19139051760(微信同号) 13333709510
找答案
注册
登录
名词解释
所有科目
成人高考
成考院校
联大
青书学堂
文才
和学
现代兴业
安徽教育在线
超星
弘成
广东开放大学
国家开放大学
上海开放大学
含弘慕课
教育服务
成人高校
成考录取分数线
我要提升学历
提升学历的理由:
升职加薪、积分落户、考研、公务员考试、子女入学、出国留学
成人高考报名入口
当前位置:
首页
>
文才系统
>
西安理工大学
>
西安理工大学电力电子技术
输入试题:
本题添加时间:2023/4/3 12:59:00
圆梦客服:王老师 19139051760(微信同号) 19139051760(微信同号)
在整流电路中,由于变压器漏抗的影响,出现换相重叠角γ,此时输出电压平均值Ud()。
A.
增大
B.
不变
C.
降低
答案是:C.
降低
出自
西安理工大学电力电子技术
文才系统
西安理工大学
更多试题>>>>
1、
SPWM逆变器有两种调制方式:双极性和() A. 四极性 B. 多极性 C. 三极性 D. 单极性
2、
当晶闸管承受反向电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在()。 A. 关断状态 B. 不定 C. 饱和状态 D. 导通状态
3、
不适于电网换流的电路是() A. 可控硅整流电路 B. 有源逆变电路 C. 无源逆变电路 D. 交流调压电路
4、
单相交交变频电路由输出电压方向决定正组桥工作或反组桥工作,工作在逆变状态,则是根据()确定。 A. 电流方向 B. 电流、电压不同向 C. 电流、电压同向 D. 电压方向
5、
在自关断器件GTR、GTO、电力MOSFET、IGBT中,可能因静电积累损坏的器件是()。 A. GTR、IGBT B. GTO、电力MOSFET C. GTR、GTO、 D. 电力MOSFET、IGBT
提升学历-成人高考报名入口
提升学历-成人高考院校名单