在自关断器件GTR、GTO、电力MOSFET、IGBT中，可能因静电积累损坏的器件是（）。 A. GTR、IGB试题答案

王老师：19139051760(微信同号) 13333709510

联大青书学堂文才和学现代兴业安徽教育在线超星弘成广东开放大学国家开放大学上海开放大学含弘慕课

教育服务

成人高校
成考录取分数线
我要提升学历
提升学历的理由：
升职加薪、积分落户、考研、公务员考试、子女入学、出国留学

成人高考报名入口

本题添加时间：2023/4/3 12:59:00
圆梦客服：王老师 19139051760(微信同号) 19139051760(微信同号)
在自关断器件GTR、GTO、电力MOSFET、IGBT中，可能因静电积累损坏的器件是（）。 A. GTR、IGBT B. GTO、电力MOSFET C. GTR、GTO、 D. 电力MOSFET、IGBT
答案是:D. 电力MOSFET、IGBT 出自西安理工大学电力电子技术文才系统西安理工大学
更多试题>>>> 1、晶闸管并联时，给每只管子串联相同小电抗器是（）措施。 A. 均流 B. 动态均压 C. 静态均压 D. 不定 2、PWM控制中的载波比表达式为N=fc/fr。 A. 错 B. 对 3、快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是（） A. 功率MOSFET B. IGBT C. 晶闸管 D. 功率晶体管 4、单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能随的电大正向电压为（） A. B. /2 C. D. 5、电力电子器件的驱动一般可分为电流型驱动和（）型驱动。 A. 电子 B. 电动 C. 电力 D. 电压