[填空题,4分] （）杂质可显著改变载流子浓度；（）杂质可显著改变非平衡载流子的寿命，是有效的复合中心。试题答案

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本题添加时间：2023/4/3 12:59:00
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[填空题,4分] （）杂质可显著改变载流子浓度；（）杂质可显著改变非平衡载流子的寿命，是有效的复合中心。
答案是:浅能级\|深能级出自周口师范学院半导体物理学联大系统周口师范学院
更多试题>>>> 1、某同学们在研究凸透镜成像规律时作了如下的记录：当物体距u1=30厘米时，在光屏上出现倒立、缩小的像；当物距u2=20厘米，在光屏上出现倒立、放大的像；当物距u=10厘米，在光屏上始终得不到像。由此可判断凸透距是（） A.大于20厘米 2、[填空题,4分] 反向偏置pn结，当电压升高到某值时，反向电流急剧增加，这种现象称为pn结击穿，主要的击穿机理有两种：（）击穿和（）击穿。 3、[填空题,4分] 半导体中的载流子复合可以有很多途径，主要有两大类：（）的直接复合和通过禁带内的（）进行复合。 4、[填空题,4分] 半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（）、（）、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。 5、[填空题,4分] 如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化，则具有这种能带结构的半导体称为（）禁带半导体，否则称为（）禁带半导体。