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本题添加时间：2023/4/3 12:59:00
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[填空题,4分] 反向偏置pn结，当电压升高到某值时，反向电流急剧增加，这种现象称为pn结击穿，主要的击穿机理有两种：（）击穿和（）击穿。

答案是:雪崩|隧道


出自 周口师范学院半导体物理学  联大系统

周口师范学院

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1、[填空题,4分] 半导体中的载流子复合可以有很多途径，主要有两大类：（）的直接复合和通过禁带内的（）进行复合。
2、[填空题,4分] 半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（）、（）、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。
3、[填空题,4分] 如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化，则具有这种能带结构的半导体称为（）禁带半导体，否则称为（）禁带半导体。
4、[填空题,4分] 半导体的晶格结构式多种多样的，常见的Ge和Si材料，其原子均通过共价键四面体相互结合，属于（）结构；与Ge和Si晶格结构类似，两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成（）和纤锌矿等两种晶格结构。
5、质量和初温相同的两个物体（ ） A.吸收相同热量后，比热大的物体温度较高 B.放出相同的热量后，比热小的物体温度较低 C. 吸收相同的热量后，比热较小的物体可以传热给比热较大的物体 D.放出相同的热量后，比热较大的物体可以向比热较小


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