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周口师范学院半导体物理学
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本题添加时间:2023/4/3 12:59:00
圆梦客服:王老师 19139051760(微信同号) 19139051760(微信同号)
对于一定的N型半导体材料,在温度一定时,减小掺杂浓度,费米能级会()。
A.上移
B.下移
C.不变
D.左移
答案是:参考答案:B 您的答案:B
出自
周口师范学院半导体物理学
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周口师范学院
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1、
在热平衡状态时,P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数,它和()有关。 A.杂质浓度和温度 B.温度和禁带宽度 C.杂质浓度和禁带宽度 D.杂质类型和温度
2、
16空穴是()。 A.带正电的质量为正的粒子 B.带正电的质量为正的准粒子 C.带正电的质量为负的准粒子 D.带负电的质量为负的准粒子
3、
砷化稼的能带结构是()能隙结构。 A.直接 B.间接 C.转换 D.转变
4、
MIS结构发生多子积累时,表面的导电类型与体材料的类型()。 A.相同 B.不同 C.无关 D.不确定
5、
13将Si掺杂入GaAs中,若Si取代As则起()杂质作用。 A.施主 B.受主 C.陷阱 D.复合中心
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