在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（）有关。 A.杂质浓度和温度 B.温度和禁带宽度试题答案

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本题添加时间：2023/4/3 12:59:00
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在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（）有关。 A.杂质浓度和温度 B.温度和禁带宽度 C.杂质浓度和禁带宽度 D.杂质类型和温度
答案是:参考答案：B 您的答案：B 出自周口师范学院半导体物理学联大系统周口师范学院
更多试题>>>> 1、16空穴是()。 A.带正电的质量为正的粒子 B.带正电的质量为正的准粒子 C.带正电的质量为负的准粒子 D.带负电的质量为负的准粒子 2、砷化稼的能带结构是（）能隙结构。 A.直接 B.间接 C.转换 D.转变 3、MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型（）。 A.相同 B.不同 C.无关 D.不确定 4、13将Si掺杂入GaAs中，若Si取代As则起（）杂质作用。 A.施主 B.受主 C.陷阱 D.复合中心 5、对掺杂的硅等原子半导体，主要散射机构是：（）。 A.声学波散射和光学波散射 B.声学波散射和电离杂质散射 C.光学波散射和电离杂质散射 D.光学波散射