有效复合中心的能级必靠近()。 A.禁带中部 B.导带 C.价带 D.费米能级试题答案

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本题添加时间：2023/4/3 12:59:00
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有效复合中心的能级必靠近()。 A.禁带中部 B.导带 C.价带 D.费米能级
答案是:参考答案：A 您的答案：A 出自周口师范学院半导体物理学联大系统周口师范学院
更多试题>>>> 1、8对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级EF随温度上升而（）。 A.单调上升 B.单调下降 C.经过一个极小值趋近Ei D.经过一个极大值趋近Ei 2、当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（）。 A.1/n0 B.1/△n C.1/p0 D.1/△p 3、在Si材料中掺入P，则引入的杂质能级（） A.在禁带中线处 B.靠近导带底 C.靠近价带顶 D.以上都不是 4、公式*q/m中的τ是半导体载流子的（）。 A.迁移时间 B.寿命 C.平均自由时间 D.扩散时间 5、对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei。 A.Ec B.Ev C.Eg D.Ef