当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（）。 A.1/n0 B.1/△n C.试题答案

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本题添加时间：2023/4/3 12:59:00
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当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（）。 A.1/n0 B.1/△n C.1/p0 D.1/△p
答案是:参考答案：A 您的答案：A 出自周口师范学院半导体物理学联大系统周口师范学院
更多试题>>>> 1、在Si材料中掺入P，则引入的杂质能级（） A.在禁带中线处 B.靠近导带底 C.靠近价带顶 D.以上都不是 2、公式*q/m中的τ是半导体载流子的（）。 A.迁移时间 B.寿命 C.平均自由时间 D.扩散时间 3、对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei。 A.Ec B.Ev C.Eg D.Ef 4、在晶体硅中掺入元素（）杂质后，能形成N型半导体。 A.锗 B.磷 C.硼 D.锡 5、对大注入条件下，在一定的温度下，非平衡载流子的寿命与（）。 A.平衡载流子浓度成正比 B.非平衡载流子浓度成正比 C.平衡载流子浓度成反比 D.非平衡载流子浓度成反比