[简答题,10分] 以对Si掺入As后形成的N型半导体为例，简述掺杂对半导体导电能力的影响。试题答案

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本题添加时间：2023/4/3 12:59:00
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[简答题,10分] 以对Si掺入As后形成的N型半导体为例，简述掺杂对半导体导电能力的影响。
答案是:对纯的半导体材料掺入适当的杂质，也能提供载流子。在Si掺入As后形成的N型半导体，杂质在带隙中提供带有电子的能级，能级略低于导带底的能量，和价带中的电子相比较，很容易激发到导带中形成电子载流子。出自周口师范学院固体物理学联大系统周口师范学院
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