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本题添加时间：2023/4/3 12:59:00
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Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的M空位Vm是（）
A.点阵中的金属原子空位
B.点阵中的原子间隙
C.一种在禁带中引入施主能级的点缺陷
D.一种在禁带中引入受主能级的位错

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出自 周口师范学院半导体物理学  联大系统

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1、自补偿效应的起因是（） A.材料中先已预存在某种深能级杂质 B.材料中先已预存在某种深能级缺陷 C.掺入的杂质是双性杂质 D.掺杂导致某种缺陷产生
2、载流子在电场作用下的运动为（）。 A.漂移运动 B.扩散运动 C.热运动 D.共有化运动
3、一个物体受到同一直线上两个力F1和 F2的作用，它们的合力为F，则( )。 A.如果F1≠ F2，那么F的方向总是跟较大的那个力 B.如果F1= F2，那么F=0 C、 C.如果F1> F2，那么F= F1- F2 D D.总大于F
4、一根电热丝的电阻值为R，将它接在电压为U的电路中时，在时间t内产生的热量为Q。使用一段时间后，比电热线被剪掉了一小段，剩下一段的电阻值为3／4R。现将剩下的这段电热丝接入电路，则（ ） A..若仍将它接在电压为U的电路中，在时间t内产生的
5、原子核由那种粒子组成的（ ） A.质子和中子 B.中子和电子 C.夸克和中子 D.D电子与质子


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