IGBT是一个复合型的器件，它是（） (A) GTR驱动的MOSFET (B) MOSFET驱动的GTR 试题答案_出自文才系统河南工程学院电力电子技术

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本题添加时间：2023/4/3 12:59:00
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IGBT是一个复合型的器件，它是（） (A) GTR驱动的MOSFET (B) MOSFET驱动的GTR (C) MOSFET驱动的晶闸管 (D) MOSFET驱动的GTO
答案是:参考答案：B 出自河南工程学院电力电子技术文才系统河南工程学院
更多试题>>>> 1、为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用 (A) du/dt抑制电路 (B) 抗饱和电路 (C) di/dt抑制电路 (D) 吸收电路 2、直流斩波电路是一种（）变换电路 (A) AC/AC (B) DC/AC (C) DC/DC (D) AC/DC 3、桓流驱动电路中加速电容C的作用是（） (A) 加快功率晶体管的开通 (B) 延缓功率晶体管的关断 (C) 加深功率晶体管的饱和深度 (D) 保护器件 4、三相半波可控整流电路的自然换相点是（） (A) 交流相电压的过零点 (B) 本相相电压与相邻相电压正半周的交点处 (C) 比三相不控整流电路的自然换相点超前30° (D) 比三相不控整流电路的自然换相点滞后60° 5、若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率，可采用的控制方法是（） (A) 增大三角波幅度 (B) 增大三角波频率 (C) 增大正弦调制波频率 (D) 增大正弦调制波幅度

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