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本题添加时间:2023/4/3 12:59:00
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采用双地址译码且分时送入行和列地址信号DRAM内部存储矩阵的字数与外部地址线数n的关系一般为( B )。

答案是:22n


出自 西安交通大学——数字电子技术  江开系统

西安交通大学

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1、采用浮栅技术的EPROM中存储的数据是( B )可擦除的。
2、不属于CMOS逻辑电路优点的提法是( D )。
3、标准TTL门关门电平 之值为( C )。
4、把数字量转换成为相应模拟量的过程称( A )。
5、把模拟量转换成为相应数字量的转换器件称为( D )。


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