为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（）。 A.du/dt抑制电路 B.抗饱和试题答案_出自联大系统河南城建学院-电气工程及其自动化（专升本）-电力电子技术

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本题添加时间：2023/4/3 12:59:00
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为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（）。 A.du/dt抑制电路 B.抗饱和电路 C.di/dt抑制电路 D.吸收电路
答案是:参考答案：A 出自河南城建学院-电气工程及其自动化（专升本）-电力电子技术联大系统河南城建学院
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